.RU

Программа государственного экзамена по направлению подготовки магистров




МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ


ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ


САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ЛЭТИ»

ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
ФАКУЛЬТЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ


“УТВЕРЖДАЮ”

ПРОРЕКТОР СПБГЭТУ «ЛЭТИ»

ПО УЧЕБНОЙ РАБОТЕ

_______________H.В. ЛЫСЕНКО

“____” _________________2010 г.


ПРОГРАММА

ГОСУДАРСТВЕННОГО ЭКЗАМЕНА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ

МАГИСТРОВ

210100 - «ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»,

программа подготовки магистров
" Нано- И МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА"


^ РУКОВОДИТЕЛЬ НАПРАВЛЕНИЯ

210100 - «ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»


__________________ д.т.н., проф. Ю.А.БЫСТРОВ


2010 г.


I. ПРИНЦИП ФОРМИРОВАНИЯ ПРОГРАММЫ.


В основу программы положены дисциплины ВВОС ВПО подготовки магистров по направлению 210100 – «ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»


  1. Дисциплина направления ДНФ, федеральный компонент, «^ КОМПЬЮТЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ»,

  2. Дисциплина ДНФ «МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА».

  3. Дисциплина ДНВ «ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ»

  4. Дисциплины ДС ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ПРОГРАММ ПОДГОТОВКИ МАГИСТРОВ, реализуемых на факультете электроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ».



^ II. СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ



  1. Дисциплины направления




    1. Дисциплина ДНФ «Компьютерные технологии в науке и производстве»

Вопросы:

  1. Стадии компьютерной поддержки эксперимента. Первичная обработка экспериментальных данных.

  2. Понятие виртуального прибора. Составные части технологии виртуального прибора. Основы программирования в LabVIEW.

  3. Дискретный ряд Фурье. Быстрое преобразование Фурье. Теорема Парсеваля.

  4. Свертка функций. Теорема о свертке. Обращение свертки.

  5. Аппаратная функция спектрометра. Вычитание аппаратной функции.

  6. Фильтрация шумящих экспериментальных данных.

  7. Обратные задачи физического эксперимента. Получение устойчивых решений обратных физических задач.

  8. Теорема о дискретном представлении случайных процессов. Преобразование измерительной информации. Дискретизация и квантование.

  9. Локальная сеть: аппаратная реализация и программное обеспе­чение.

  10. Сеть Интернет. Система доменных имен. Архитектура клиент-сервер.

  11. Описать метод построения сплайн-интерполяции в пакете MatCAD. Приведите пример использования сплайн-интерполяция в задаче по определению эффективной границы между областью обеднения и каналом полевого транзистора с затвором Шоттки. Привести уравнение эффективной границы между подзатворной обедненной областью и каналом полевого транзистора с затвором Шоттки.

  12. Привести пример записи нормированного уравнения Пуассона в пакете FlexPDE. Записать соответствующие граничные условия для прямоугольной области полупроводника с двумя омическими контактами на противоположных сторонах заданной области. Параметры полупроводниковой структуры выбрать самостоятельно.

  13. Какие структуры используются в среде LabVIEW для реализации циклических операций, объясните особенности синтаксиса этих структур. Приведите пример реализации многозадачности в среде LabVIEW.

  14. Какие языки программирования (в рамках интернет -технологии) интерпретируются на стороне клиента? Приведите примеры синтаксиса этих языков.

  15. Какие языки программирования (в рамках интернет -технологии) интерпретируются на стороне сервера? Приведите примеры синтаксиса этих языков.

  16. Приведите алгоритм численного моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки в пакете Sentaurus TCAD.


Литература.

1. Олифер В. Г., Олифер Н. А. Компьютерные сети. Принципы, технологии, протоколы. Учебник для вузов, СПб, BHV, 2000, ISBN: 5-8046-0133-4, 672 стр.

2. Интернет. Энциклопедия, 2-е изд. под редакцией Мелиховой Л.Г., 2000 ISBN: 5-272-00046-3, 528 стр.

3. Информатика. Лабораторный практикум. А.С. Иванов. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2003.


    1. Дисциплина ДНФ «Микропроцессорная техника»

Вопросы:

  1. Системы счисления

  2. Классификация микропроцессоров

  3. Основные сигналы и внутренняя структура обобщенной 8-разрядной МП системы

  4. Тактовая диаграмма МП в режиме чтения. Формирование сигнала ожидания.

  5. Тактовая диаграмма МП в режиме записи. Формирование сигнала захвата шины

  6. Логический элемент с третьим состоянием и интерфейсные микросхемы на его основе - шинные формирователи и буферные регистры

  7. Тактовый генератор микроконтроллера, режим пониженного энергопотребления

  8. Формирователи сигнала сброса, супервизоры питания, сторожевой таймер

  9. Порты параллельного ввода/вывода

  10. 16-разрядный таймер

  11. Использование прерываний в микропроцессорных системах

  12. Интерфейс последовательного ввода/вывода SPI

  13. Аналого-цифровой преобразователь микроконтроллера

  14. Типы клавиатур. Подключение дискретных клавиатур к микроконтроллерам.

  15. Сканирование клавиатуры. Подключение клавиатуры с помощью АЦП.

  16. Вывод информации на дискретные индикаторы.

  17. Подключение силовых устройств и шаговых двигателей к микроконтроллерам

  18. Общие принципы асинхронной последовательной передачи информации.

  19. Интерфейс RS232. Стандартные скорости передачи информации.

  20. Интерфейсы RS485, RS422.

  21. Запоминающие устройства Основные сведения, назначение, классификация.

  22. Принципы организации запоминающих устройств.

  23. Микросхемы статических оперативных запоминающих устройств (ОЗУ). Внутренняя структура, принципы функционирования.

  24. Подключение статических ОЗУ к МП системе.

  25. Микросхемы динамических оперативных запоминающих устройств (ДОЗУ). Внутренняя структура, принципы функционирования

  26. Регенерация данных в ДОЗУ. Принципы ускоренного доступа к данным в ДОЗУ.

  27. Масочные ПЗУ, однократно программируемые ПЗУ.

  28. ПЗУ с УФ и электрическим стиранием.


Литература

1. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника: Учеб. пособие для вузов напр. 654600 и 552800- " Информатика и вычисл. техника ", спец. 220100 " Вычисл. машины, комплексы, системы и сети"/ Е. П. Угрюмов. - 2001.

2. Предко М.. Руководство по микроконтроллерам: В 2 т./ Пер. с англ. под ред. И.И. Шагурина, С.Б. Лужанского. -М.: Постмаркет. – 2001.



    1. Дисциплина ДНВ «Процессы микро- и нанотехнологии»

Вопросы:

  1. Требования к чистоте материалов и процессов. Классификация чистоты помещений, источники загрязнений, способы обеспечения и поддержания чистоты. Базовые операции очистки.

  2. Оборудование и методы нанесения вещества в вакууме из молекулярных пучков: вакуум-термическое и электронно-лучевое испарение, молекулярно-лучевая эпитаксия.

  3. Оборудование и методы ионно-плазменного осаждения: катодное, магнетронное, реактивное распыления; ионно- и плазмохимическое осаждение.

  4. Оборудование и методы осаждения из газовой фазы: получение поликристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния, оксида и нитрида кремния; газофазная эпитаксия кремния, бинарных и многокомпонентных соединений; газофазные методы молекулярной химической сборки.

  5. Оборудование и методы осаждения из жидкой фазы: жидкофазная эпитаксия, электрохимическое осаждение слоев, нанесение моно- и мультислоев органических веществ методом Ленмюра-Блоджетт. Золь-гель технология.

  6. Процессы химического травления: механизмы травления; оборудование, методы и среды для жидкостного и газового травления; локальное и анизотропное ориентационно-чувствительное травление; маскирующие, «жертвенные» и «стоп»-слои.

  7. Ионно-плазменное травление: оборудование, методы и механизмы травления; ионно-лучевое, плазмохимическое, реактивное ионно-плазменное, ионно-химическое травление.

  8. Оборудование и методы окисления в газовой и жидких средах: высокотемпературное термическое сухое и влажное окисление, электрохимическое окисление.

  9. Диффузия примесей: распределение примесей при диффузии, стадии загонки и разгонки примесей, оборудование и методы диффузии из газообразных, жидких и твердых источников.

  10. Ионная имплантация: законы распределение примесей, оборудование и методы ионной имплантации.

  11. Литографические процессы. Методы литографии: фото- , рентгено-, электроно- и ионолитография. Основные этапы процесса фотолитографии. Резисты и способы их нанесения, позитивные, негативные. Фотошаблоны. Аппаратура и способы совмещения и экспонирования


Литература

  1. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / под ред.В.В.Лучинина, Ю.М.Таирова. – М.: Физматлит.2006г.

  2. Жабрев В.А, Мошников В.А., Таиров Ю.М., Федотов А.А., Шилова О.А. Золь-гель технология. Уч. пособ. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005.

  3. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Лань, 2001, 272 с.

  4. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – Учебник для вузов - М.:Высшая школа, 1986.

Mоро У. Микролитография: принципы, методы, материалы. В 2-ух ч., Перевод с англ. - М.: Мир, 1990, 632 с.



  1. ^ СПЕЦИАЛЬНЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ




    1. Дисциплина СД «Физика наносистем»

Вопросы

  1. Адиабатическое приближение.

  2. Приближение самосогласованного поля.

  3. Метод Хартри, метод Хартри-Фока.

  4. Обменное взаимодействие электронов проводимости.

  5. Теорема Купманса.

  6. Уравнение Томаса-Ферми.

  7. Многоэлектронные атомы.

  8. Двухатомная молекула.

  9. Точечный дефект в кристалле, задача Костера-Слэтера; точечный дефект как прообраз задачи о поверхности.

  10. Метод функций Грина, обозначения Дирака, резольвентные методы в узельном представлении, уравнение Дайсона.

  11. Вакансия в одномерной цепочке как модель поверхности.

  12. Приближение сильной связи: простая схема формирования зонной структуры и возникновения локальных и резонансных состояний.

  13. Физическая и химическая адсорбции.

  14. Модель Андерсона: адсорбция атома на металле, квазиуровни, плотность состояний на адатоме, числа заполнения.

  15. Адсорбция атома на полупроводнике, модель Халдейна-Андерсона.

  16. Роль щели в сплошном спектре подложки, локальные и резонансные состояния.

  17. Взаимодействие адатомов: диполь-дипольное взаимодействие, косвенный и прямой обмены.

  18. Корреляции электронов и поверхностные сверхрешетки.

  19. Кулоновское взаимодействие электронов на адатоме, зарядовая перестройка, роль электрон-фононного взаимодействия.

  20. Изотопический эффект в одноатомной линейной цепочке.

  21. Вакансия и примесь в одноатомной линейной цепочке.

  22. Локальные колебания.

  23. Интерфейсные фононы.

  24. Основы тензорного анализа.

  25. Компоненты и ранг тензора.

  26. Закон преобразования компонент тензора.

  27. Тензорное описание физических свойств кристаллов.

  28. Материальные уравнения и материальные тензоры.

  29. Инвариантность материальных тензоров.

  30. Тензоры механических напряжений и деформаций.

  31. Упругие свойства кристаллов.

  32. Закон Гука.

  33. Тензор жесткости.

  34. Условия, налагаемые симметрией кристалла на компоненты тензора жесткости.

  35. Упругие волны в кристаллах.

  36. Объемные пьезоакустические резонаторы.

  37. Микроскопическая теория колебаний решетки.

  38. Преобразование Фурье для функций, заданных на решетке.

  39. Зона Бриллюэна.

  40. Правила сумм.

  41. Динамическая матрица.

  42. Диагонализация динамической матрицы.

  43. Нормальные типы колебаний.

  44. Акустические и оптические моды.

  45. Длинноволновый предел в теории колебания решетки.

  46. Разложение динамической матрицы по степеням волнового вектора.

  47. Построение динамической матрицы методом инвариантов.

  48. Акустические колебания в приближении эффективной среды.

  49. Узельное представление в теории акустических колебаний решетки.

  50. Обобщенная задача на собственные частоты и собственные типы колебаний нанокластеров.

  51. Приложение теории к нанокластерам в кубических кристаллах.

  52. Динамическая матрица кубических кристаллов в длинноволновом пределе.

  53. Собственные колебания одномерных, двумерных и трехмерных кластеров.

  54. Периодические структуры.

  55. Фононные кристаллы.

  56. Молекула фуллерена С60, ее основные свойства.

  57. Кристаллические фуллерены (фуллериты), их структура и физические свойства.

  58. Твердые фуллерены, легированные щелочными металлами (фуллериды).

  59. Сверхпроводимость в фуллеренах.

  60. Нанотрубки и их структура.

  61. Основные физические свойства нанотрубок и перспективы их при-менения.

  62. Графены, их структура, электронные спектры и особенности процессов переноса.

  63. Электромагнитное поле в резонаторе, его энергия.

  64. Гамильтониан электромагнитного поля, радиационные осцилляторы.

  65. Квантование энергии электромагнитного поля.

  66. Квантовая механика радиационного осциллятора: основное состояние, операторы рождения и уничтожения, их основные свойства.

  67. Понятие о методе вторичного квантования и его применении к системам с переменным числом частиц.

  68. Гамильтониан электромагнитного поля в представлении вторичного квантования.

  69. Квантовые устройства хранения и обработки информации.


Литература
  1. ^ Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Учебник. М., Высшая школа, 2002.
  2. Бонч-Бруевич В.П., Калашников С.Г. Физика полупроводников, Учебное пособие. М., Наука, 1990.
  3. С.Ю. Давыдов, А.И. Мамыкин, О.В. Посредник. Элементарное введение в квантовую теорию твердых тел. Учебное пособие, СПб.: Изд-во СпбГЭТУ «ЛЭТИ», 2002, 52 с.
  4. ^ С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Физика поверхности и границ раздела. Учебное пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005, 66 с.



    1. Дисциплина СД «Материаловедение микро и наносистем»

Вопросы:

  1. Дисперсные системы. Классификация дисперсных систем по агрегатному состоянию дисперсной фазы и дисперсионной среды.

  2. Физические и химические методы синтеза наночастиц Методы нанодиспергирования компактного материала.

  3. Кластеры. Классификация нанокластеров и наноструктур. Ван-дер-Ваальсовы кластеры. Молекулярные кластеры металлов.

  4. . Методы стабилизации кластеров. Кластерные соединения металлов. Магические числа.

  5. Принципы геометрической организации кластеров.

  6. Материаловедческие принципы классификации наноматериалов по признакам: тип гибридизации химических связей, ближний и дальний порядок, дальний порядок и степень дефектности.

  7. Материаловедение наноалмазов. Свойства, методы получения, применение.

  8. Материаловедение аморфных углеродных материалов. Области существования различных аморфных материалов (отображение на поле треугольника Гиббса).

  9. Диаграммы Шлегеля ( топологические проекции) фуллеренов С60, С70 и экзопроизводных изомеров.

  10. Фуллериты. Фуллериды. Интеркалированные соединения. Полимерные фазы на основе фуллеренов.

  11. Материаловедение углеродных нанотрубок. Одностенные и многостенные углеродные нанотрубки. Строение углеродных нанотрубок. Влияние хиральности нанотрубки на ее электрофизические и оптические свойства.

  12. .Материаловедческие основы гетероструктурной наноэлектроники на основе углеродных нанотрубок. Углеродные нанотрубки, модифицированные фтором.

  13. Физико-химические основы сборки моно-и полимолекулярных слоёв методом Ленгмюра-Блоджетт.

  14. Атомная сборка и самоорганизация упорядоченных наноструктур на поверхности кремния.

  15. Материаловедение кластерных кристаллов. Синергетические эффекты в кластерных фотонных кристаллах на базе опалов.

  16. Химические размерные эффекты. Спилловер-эффект. Гетерогенный катализ на наночастицах. Модель оборванных связей.

  17. Каталитические наночастицы. Влияние подложки на каталитические свойства. Концепция искусственных кластеров для катализа.

  18. Материаловедческие основы нанофотоники. Оболочечные наночастицы и наносистемы на их основе.

  19. Принципы получения новых радиопоглощающих материалов на основе гибридных наносистем с оболочечными наночастицами .

  20. Основы теории фракталов для материаловедения. Понятие фрактала. Образующий элемент. Предфрактал. Количественные характеристики фракталов. Фрактальная размерность. Физические фракталы. Поверхностный фрактал. Массовый фрактал.

  21. Фрактальные агрегаты. Основные модели роста фрактальных агрегатов в золь-гель технологии. Диффузионно лимитируемая агрегация. Кластер-кластерная агрегация.

  22. Основные принципы теории перколяции для материаловедения нанокомпозитов. Стягивающий кластер. Порог протекания.

  23. Решеточные и континуальные задачи. Покрывающие, включающие и дуальные решетки. Зависимости порога протекания задачи связей и задачи узлов от симметрии решетки и размерности пространства. Уровень протекания.

  24. Перколяционные сети и эволюция фрактальных кластеров. Фрактальная размерность перколяционного кластера вблизи порога протекания.

  25. Образование перколяционного кластера как геометрический фазовый переход. Природа возникновения аномальных свойств нанокомпозитов в области порога протекания. Материаловедческий дизайн.

  26. Физико-химические процессы при переходе «золь — гель». Теория гелеобразования. Старение. Синерезис. Гели из коллоидных золей. Гели из полимерных золей.

  27. Классификация материалов, полученных методами золь-гель технологии. Нанопорошки. Нанопленки. Наносети. Аэрогели.

  28. Мицеллярная теория золь-гель-процесса. Критическая концентрация мицеллообразования. Микроэмульсии. Обратные микроэмульсионные системы. Стабилизация микроэмульсий. Материаловедческие аспекты получения монодисперсных наночастиц.

  29. Свойства и строение ультрадисперсных систем. Псевдомонокристаллы.

  30. Самоорганизованные коллоидные системы. Слои Шиллера. Кольца Лизеганга. Прямые и обратные сферические мицеллы ПАВ.

  31. Темплатный синтез. Методы введения темплато-порогенного агента в сетку силиката. Получение и применение гибридных органо-неорганических нанокомпозиций. Основные принципы молекулярной инженерии.

  32. Материаловедение полимерных систем с ионногенными функциональными группами. Протонпроводящие мембраны для водородной энергетики.

  33. Модельные представления об образовании и росте пор. Эффект самоорганизации пористых микро- и наносистем в оксиде алюминия при электрохимическом травлении алюминия. Методы получения и характеристики высокоупорядоченных слоев por- Al2O3.Темплатный синтез на основе por-Al2O3. Фибриллярные нанокомпозиты на основе матрицы por-Al2O3.

  34. Пористый кремний: классификация и основные параметры. Особенности строения пористого кремния. Эффекты старения пористого кремния. Модели порообразования в кремнии.

  35. Материаловедение пористого кремния как наносистемы. Влияние технологических параметров и свойств кремниевой подложки на характеристики пористого кремния. Природа фотолюминесценции в пористом кремнии.

  36. Материаловедческие основы полимеров. Перколяционная модель полимера. Персистентная длина. Концепция иерархии структуры полимерных материалов. Переход «клубок – глобула». Теория рептаций.

  37. Базовые аспекты материаловедения молекулярной электроники. Сопряженные полимеры. Особенности электрофизики . Оптические свойства. Олигомеры. Блоксополимеры.

  38. Материаловедение дендримерных наносистем. Модель дерева Бете. Дендримеры и дендроны. Ядро, внутриоболочечное пространство, функционализация оболочки. Мегамеры. Биомаркеры. Многофункциональные дендримерные наносистемы.

  39. Физико-химические основы функционализации поверхностей. Циклы «адсорбция – нейтрализация» для формирования высокоорганизованных (упорядоченных) монослоев и наносистем.

  40. Физические и химические основы самосборки архитектур наносистем. Полимерно-связанные, поверхностно-связанные, электростатически связанные архитектуры. Самосборка под действием ван-дер-ваальсовых сил.

  41. Материаловедческие основы наноимпринтинга. Полимерные чернила. Методы сканирующей зондовой микроскопии для наномодификации поверхностных слоев.


Литература

  1. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Новые направления физического материаловедения / Уч. пособ., Воронеж, ВГУ, 2000г.

  2. Максимов А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Шилова О.А. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. СПб: ООО "Техномедиа" / Изд-во "Элмор", 2007

  3. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1974г.

  4. Забродский А.Г., Немов С.А., Равич Ю.И. Электронные свойства неупорядоченных систем / Серия учебных пособий «Новые разделы физики полупроводников». Спб.: Наука, 2000г

  5. Рамбиди Н.Г. Структура полимеров- от молекул до наноансамблей.- Долгопрудный, Изд.дом «Интеллект», 2009




    1. Дисциплина СД «Нано- и микросенсорика»

Вопросы

  1. Измеряемые величины и физические эффекты, используемые для их определения. Классификация датчиков и области их применения. Метрологические характеристики датчиков как средств измерения

  2. Метрологические характеристики оптических сенсоров: темновой ток, чувствительность, обнаружительная способность. Фотодиоды принцип функционирования и схемы включения.

  3. Приемники теплового излучения: основные характеристики и соотношения, болометры, термоэлементы пироэлектрические приемники излучения.

  4. Методы измерения температуры и классификация датчиков температуры. Полупроводниковые датчики температуры на основе терморезисторов, p-n переходов и барьеров Шоттки.

  5. Основные типы детекторов ионизирующего излучения. Полупроводниковые детекторы: их конструкция и принципы функционирования.

  6. Датчики Холла, магниторезисторы, магнитодиоды, магнитотранзисторы - принцип действия, особенности конструкции и основные свойства.

  7. Датчики потока: термические датчики потока, резонансные датчики потока, емкостные датчики потока

  8. Каталитические и электрохимические датчики газового состава. Датчики резисторного типа на основе оксидов металлов.


Литература

  1. Датчики измерительных систем: В 2-х книгах/ Ж.Аш., П.Андре, Ж.Борфон и др. – М.: Мир, 1992.

  2. Фрайден Дж. Современные датчики. Справочник. – М.:Техносфера, 2005. – 592 С.

  3. Джексон Р.Г. Новейшие датчики. – М.: Техносфера, 2007. – 384 С.

  4. Е.А. Колгин, А.А. Ухов. Датчики телеметрических систем: Лабораторный практикум; СПбГЭТУ. СПб., 2006. – 64 С.

  5. Твердотельные датчики: Методические указания к лабораторным работам / Сост.: В.П.Афанасьев, А.В.Варфоломеев, Н.А.Ганенков и др.; Под.ред. В.П.Афанасьева; СПбГЭТУ. СПб., 1998. – 68 С.




    1. Дисциплина СД «Нано- и микромашины»

Вопросы:

  1. Электромеханические аналогии. Обобщенное описание преобразователей. Основные типы электромеханических преобразователей.

  2. Тензорезистивные датчики давления. Основные типы конструкций. Тензорезистивная схема.

  3. Тензорезистивные акселерометры. Линейный и маятниковый акселерометр. Тензорезистивная схема.

  4. Емкостные преобразователи давления. Основные типы конструкций. Принцип работы.

  5. Емкостные акселерометры. Основные типы конструкций. Принцип работы.

  6. Микрогироскопы. Принцип работы. Основные типы конструкций.

  7. Электростатические актюаторы. Микрореле, микрозеркало. Конструкция и принцип работы.

  8. Магнитоэлектрические аналогии. Магнитоэлектрические и электромагнитные преобразователи


Литература

  1. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиздат, 1983.

  2. Распопов В.Я. Микромеханические приборы. Учебное пособие./ Тул. Гос. университет. - Тула, 2002 г. - 392 с.

  3. Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. -М: Техносфера, 2004, 528с.

  4. Лучинин В.В., Степанов Ю.И., Телец В.А. Микросистемная техника. Прикладные области применения: Учебно-методическая разработка /МИФИ. — М, 2004.-100 с.

  5. Гридчин В.А., Драгунов В.П. Физика микросистем: Учеб. пособие. В 2 ч. Ч. 1. — Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004. — 416 с. — (Серия «Учебники НГТУ»).




    1. Дисциплина СД «Компоненты микро- и наносистем»

Вопросы

  1. Система термо-механических (термо-электрических) аналогий. Тепловое сопротивление. Теплоемкость. Законы теплопередачи.

  2. Терморезистивные преобразователи. Терморезистивные датчики температуры, потока, вакуумметры. Схемы, конструкции.

  3. Термоэлектрические преобразователи. Эффекты Томпсона, Пельтье, Зеебека. Конструкции и особенности применения в микросистемной технике.

  4. Система акустомеханических (акустоэлектрических) аналогий. Воздушное (акустическое) сопротивление, емкость, акустическая масса.

  5. Акустомеханические преобразователи. Конструкции, характеристики.

  6. Жидкостные микросистемы. Капиллярные эффекты. Микроаналитические системы.

  7. Микроклапаны и микронасосы. Конструкции и характеристики


Литература

  1. Гридчин В.А. Физика микросистем: Учеб. пособие. В 2 ч. Ч.2 - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2006 г. 515 c.

  2. Распопов В.Я. Микромеханические приборы. Учебное пособие./ Тул. Гос. университет. - Тула, 2002 г. - 392 с.

  3. Лойцянский Л.Г. Механика жидкости и газа: Уч. д/вузов. -М.:Дрофа,2003.-840.

  4. Кутателадзе С.С. Основы теории теплообмена. 5-е изд., перераб. и доп. М.: Атомиздат, 1979. 416 с.

  5. Фурдуев В.В. Электроакустика. М.: Гостехиздат, 1948.


Руководитель

магистерской программы д.т.н., проф. В.В.Лучинин


pravovie-aspekti-upravleniya-naemnim-personalom.html
pravovie-formi-i-metodi-gosudarstvennogo-upravleniya-upravlencheskij-process-chast-4.html
pravovie-i-normativno-tehnicheskie-osnovi-obespecheniya-bzhd-2.html
pravovie-i-politicheskie-ucheniya-hup-v-v-anglii-t-gobbs-dzh-lokk.html
pravovie-normativno-tehnicheskie-i-organizacionnie-osnovi-obespecheniya-bezopasnosti-zhiznedeyatelnosti-obshestva.html
pravovie-osnovi-bankovskih-operacij-zadacha-obespecheniya-svoih-grazhdan-zhilishem-dostupnim-po-cene-i-po-sposobu-priobreteniya.html
  • learn.bystrickaya.ru/glava-xii-priklyucheniya-toma-sojera.html
  • grade.bystrickaya.ru/naimenovanie-meropriyatiya-naimenovanie-yuridicheskogo-lica-realizuyushego-meropriyatie-stranica-28.html
  • letter.bystrickaya.ru/ne-ogranichivajte-sobstvennie-mechti-osmeltes-preuspet.html
  • books.bystrickaya.ru/bresh-v-razvitii-makki-r-ml5-istoriya-na-million-dollarov-master-klass-dlya-scenaristov-pisatelej-i-ne-tolko.html
  • thescience.bystrickaya.ru/klinika-diagnostika-i-lechenie-opuholej-semejstva-sarkomi-yuinga-grudnoj-stenki-u-detej-14-00-14-onkologiya.html
  • student.bystrickaya.ru/34-issledovatelskaya-proektnaya-i-opitno-eksperimentalnaya-rabota-obuchayushihsya-za-poslednie-tri-goda.html
  • education.bystrickaya.ru/23-trebovaniya-k-otvetam-na-zadaniya-ekzamenacionnogo-bileta-itogovaya-gosudarstvennaya-attestaciya-vipusknikov.html
  • occupation.bystrickaya.ru/muladhara-vishudha-vozvrashennij-okkultizm-ili-povest-o-tonkoj-semerke-vstuplenie.html
  • gramota.bystrickaya.ru/zigar-nailya-olegovna-testi-kazakova-elena-nailevna-testi-kazakova-maryam-shafigullovna-testi.html
  • essay.bystrickaya.ru/bezrabotica-kak-ekonomicheskaya-kategoriya-ee-teoreticheskoe-obosnovanie-chast-8.html
  • laboratornaya.bystrickaya.ru/rabochaya-programma-po-kursu-geometriya-dlya-11-klassa-profilnij-uroven.html
  • tetrad.bystrickaya.ru/voennoe-delo-volzhskoj-bulgarii-po-materialam-pamyatnikov-verhnego-posurya-i-primokshanya.html
  • assessments.bystrickaya.ru/doklad-dlya-diskussionnogo-stola-ugrozi-rossii-v-xxi-veke-na-temu-rossiya-i-gollandskaya-bolezn-est-li-svet-v-konce-tonnelya.html
  • literatura.bystrickaya.ru/rossijskaya-gazeta-27032012-podumat-o-budushem-monitoring-smi-rf-po-pensionnoj-tematike-27-marta-2012-goda.html
  • klass.bystrickaya.ru/73-upravlenie-adaptaciej-torgovogo-personala-podbor-torgovogo-personala.html
  • literatura.bystrickaya.ru/s-eksperimentalnim-ishemicheskim-insultom.html
  • uchebnik.bystrickaya.ru/uchebno-metodicheskij-kompleks-disciplini-opd-f-03-uchenie-ob-atmosfere.html
  • ekzamen.bystrickaya.ru/silnij-veter-ostavil-bez-elektrichestva-zhitelej-devyati-rajonov-v-tatarstane-versiya-1-informacionnoe-agentstvo-ria-novosti-06122011.html
  • uchebnik.bystrickaya.ru/vkus-i-cvet-zhizni.html
  • learn.bystrickaya.ru/glava-5-negonorejnie-nespecificheskie-uretriti-rukovodstvo-dlya-vrachej.html
  • books.bystrickaya.ru/dolgosrochnie-prioriteti-byudzhetnoj-politiki-rostovskoj-oblasti-agropromishlennij-i-ribohozyajstvennij-kompleks-42.html
  • uchenik.bystrickaya.ru/bileti-po-mezhkulturnoj-kommunikacii-chast-19.html
  • thesis.bystrickaya.ru/priglashenie-k-uchastiyu-v-otkritom-aukcione-v-elektronnoj-forme-stranica-5.html
  • grade.bystrickaya.ru/naimenovanie-god-cvet-hronometrazh-stranica-20.html
  • textbook.bystrickaya.ru/gosudarstvennaya-duma-tomskoj-oblasti-postanovlenie-ot-28-fevralya-2008-g-n-1008-ob-energeticheskoj-strategii-tomskoj-oblasti-na-period-do-2020-goda-stranica-4.html
  • institut.bystrickaya.ru/tema-realizaciya-kompetentnostnogo-podhoda-cherez-obrazovatelnuyu-programmu-shkoli.html
  • upbringing.bystrickaya.ru/material.html
  • write.bystrickaya.ru/gosbyudzhet-deficit-byudzheta-chast-20.html
  • credit.bystrickaya.ru/otchet-o-deyatelnosti-soveta-voennoj-promishlennosti-za-1919-i-1920-gg-m-izd-guvp-1920-s-51-5356-5860-8284-104-10711211-armiya-stranica-24.html
  • institut.bystrickaya.ru/tarihi-anitama.html
  • school.bystrickaya.ru/istoriya-razvitiya-kompyuterov-chast-5.html
  • university.bystrickaya.ru/gosduma-rassmotrit-vo-vtorom-chtenii-zakonoproekt-o-dachnoj-amnistii-gosduma-rf-monitoring-smi-10-13.html
  • uchebnik.bystrickaya.ru/uchebno-metodicheskij-kompleks-po-mirovoj-hudozhestvennoj-literature-dlya-specialnosti-050105-defektologiya-shifr-specialnost.html
  • university.bystrickaya.ru/glava-2-vostochnie-slavyane-i-obrazovanie-drevnerusskogo-gosudarstva-istoriya-rossii-s-drevnejshih-vremen-do-konca.html
  • desk.bystrickaya.ru/osobennosti-zhenskogo-i-muzhskogo-lica-httpwww-krasotka-makeup-ru.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.